Ngành
BIWIN ra mắt RAM DW100 48GB 6000CL28: Tối ưu hóa độ trễ cực thấp cho game thủ AMD
(giờ Việt Nam)
Tóm tắt AI
BIWIN giới thiệu dòng RAM DW100 đạt chuẩn AMD EXPO ULL, giúp tinh chỉnh các thông số phụ để tăng hiệu suất khung hình tối thiểu (1% Low) lên tới 18% trong các tựa game nặng.
Chính văn · Bản dịch AI
Theo tin từ IT ngày 14 tháng 9, BIWIN đã thông báo ra mắt mô-đun bộ nhớ DW100 24GB×2 6000CL28 phiên bản đạt chứng nhận AMD EXPO ULL, tuyên bố có thể giúp cải thiện 10% chỉ số 1% Low FPS trong các trò chơi.
Phiên bản bộ nhớ mới ra mắt lần này hỗ trợ công nghệ ép xung tối ưu hóa thông số chi tiết AMD EXPO Technology: Featuring Ultra Low Latency, cho phép thắt chặt các thông số thời gian trễ phụ (thường gọi là "tiểu tham" - sub-timings, như tREFI, tRRDS, tWRWRSCL, v.v.) vốn thường bị người dùng bỏ qua khi ép xung bộ nhớ, đưa chúng về một khoảng tối ưu đã được kiểm chứng toàn diện.
Theo kết quả đo đạc thực tế từ phòng thí nghiệm của BIWIN, trên nền tảng AMD Ryzen 5 9600X + NVIDIA GeForce RTX 5070 chạy game ở độ phân giải 1080p thiết lập thấp, công nghệ EXPO ULL giúp đạt mức tăng 8% FPS trung bình và 11,91% chỉ số 1% Low FPS trong "CS2", đồng thời cải thiện 18,18% FPS tối thiểu trong "Black Myth: Wukong" (Hắc Thần Thoại: Ngộ Không).
Bài viết được AI dịch và tổng hợp tự động từ IT Home. Liên kết bài gốc ở phía trên. AIHOT.vn luôn dẫn nguồn đầy đủ — nếu bạn thấy điểm cần chỉnh sửa, hãy gửi ý kiến tại trang phản hồi.